意法半导体国际公司F·尤科纳洛获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利HEMT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222621488U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420606730.5，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型HEMT器件是由F·尤科纳洛;A·基尼;M·E·卡斯塔尼亚;A·康斯坦特;C·特林加利设计研发完成，并于2024-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本HEMT器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及HEMT器件，包括：本体，该本体具有顶表面并且包括被配置为生成二维电荷载流子气的异质结构；以及栅极结构，在本体的顶表面上延伸并且能够偏置以电控制二维电荷载流子气，该栅极结构包括：半导体材料的沟道调制区，沟道调制区具有顶表面；半导体材料的功能区；导电材料的第一栅极接触区；导电材料的第二栅极接触区，第二栅极接触区至少部分地在功能区上延伸并且与第一栅极接触区接触，其中功能区和第一栅极接触区在沟道调制区的顶表面上延伸，并且其中第一栅极接触区相对于功能区侧向布置，沟道调制区相对于功能区具有不同的导电类型；以及非导电材料的绝缘区，绝缘区在第一栅极接触区和第二栅极接触区之间。
本实用新型HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：本体，所述本体具有顶表面并且包括被配置为生成二维电荷载流子气的异质结构；以及栅极结构，在所述本体的所述顶表面上延伸并且能够偏置以电控制所述二维电荷载流子气，所述栅极结构包括：半导体材料的沟道调制区，所述沟道调制区具有顶表面；半导体材料的功能区；导电材料的第一栅极接触区；导电材料的第二栅极接触区，所述第二栅极接触区至少部分地在所述功能区上延伸并且与所述第一栅极接触区接触，其中所述功能区和所述第一栅极接触区在所述沟道调制区的所述顶表面上延伸，并且其中所述第一栅极接触区相对于所述功能区侧向布置，所述沟道调制区相对于所述功能区具有不同的导电类型；以及非导电材料的绝缘区，所述绝缘区在所述第一栅极接触区和所述第二栅极接触区之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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