天合光能股份有限公司刘成法获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池和太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118367037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410797396.0，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权太阳能电池和太阳能电池的制备方法是由刘成法;吕东芸设计研发完成，并于2024-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池和太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法，太阳能电池包括半导体区、位于半导体区上方的介质层和副栅，副栅包括交替排列的接触段和连接段，接触段的底面穿过介质层并与半导体区接触，连接段位于介质层的上方，连接段的侧面与相邻的接触段接触，其中，接触段的长度与连接段的长度之间的比值等于或大于1:1.5。本申请的太阳能电池和制备方法能够减少复合。
本发明授权太阳能电池和太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括半导体区、位于所述半导体区上方的介质层和副栅，其特征在于，所述副栅包括交替排列的接触段和连接段，所述接触段的底面穿过所述介质层并与所述半导体区接触，所述连接段位于所述介质层的上方，所述连接段的侧面与相邻的接触段接触，其中，所述接触段的长度与所述连接段的长度之间的比值等于或大于1:1.5，所述接触段的底面具有多个凹槽，所述介质层填充所述多个凹槽，所述连接段包括依次连接的第一部、主体部和第二部，所述第一部和所述第二部覆盖所述接触段的部分侧面和部分顶面，所述主体部的顶面低于所述接触段的顶面，所述接触段贯穿所述介质层并深入所述半导体区中，所述连接段的孔隙率小于所述接触段的孔隙率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天合光能股份有限公司，其通讯地址为：213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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