恭喜太极半导体(苏州)有限公司韩磊磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜太极半导体(苏州)有限公司申请的专利一种多闪存芯片堆叠封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222638977U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420124441.1，技术领域涉及：H10B80/00；该实用新型一种多闪存芯片堆叠封装结构是由韩磊磊设计研发完成，并于2024-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多闪存芯片堆叠封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种多闪存芯片堆叠封装结构，涉及集成电路先进高堆叠存储器封装技术领域，包含基板、左侧闪存芯片堆叠体和右侧闪存芯片堆叠体；左侧闪存芯片堆叠体和右侧闪存芯片堆叠体均通过环氧树脂封装在基板上；左侧闪存芯片堆叠体具有多层，多层左侧闪存芯片堆叠体通过DAF膜依次阶梯堆叠在基板上；右侧闪存芯片堆叠体与左侧闪存芯片堆叠体相同，且右侧闪存芯片堆叠体与左侧闪存芯片堆叠体对称设置，本方案通过将更多的闪存芯片堆叠在一起，减少了电路板的数量和尺寸，提高了存储的集成度；同时更多闪存芯片紧密的结构，也减小了封装体积；同时，由于多闪存芯片的堆叠，可以实现更高的带宽和更快的传输速度，从而提高了整个系统的性能。
本实用新型一种多闪存芯片堆叠封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：包含基板1、左侧闪存芯片堆叠体和右侧闪存芯片堆叠体；所述左侧闪存芯片堆叠体和右侧闪存芯片堆叠体均通过环氧树脂8封装在基板1上；所述左侧闪存芯片堆叠体具有多层，多层所述左侧闪存芯片堆叠体通过DAF膜3依次阶梯堆叠在基板1上；所述右侧闪存芯片堆叠体与左侧闪存芯片堆叠体相同，且右侧闪存芯片堆叠体与左侧闪存芯片堆叠体对称设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人太极半导体(苏州)有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区综合保税区启明路158号建屋1号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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