恭喜湖北九峰山实验室吴畅获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北九峰山实验室申请的专利一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118016689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410056570.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件是由吴畅;刘安;王凯;李程程;周瑞;刘捷龙;黄镇;何琦;邢绍琨设计研发完成，并于2024-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构。该结构从下至上包括多个依次交替的GaN沟道层、AlGaN势垒层，所述GaN沟道层与AlGaN势垒层形成GaNAlGaN异质结，相邻两个所述GaNAlGaN异质结之间为沟道隔离层。本发明通过在GaNAlGaN异质结之间设置沟道隔离层，使得各沟道电子之间不再相互影响，多沟道电流可以与沟道数量对应呈倍数增长，从而消除了沟道与沟道之间的耦合效应，且不会引入杂质散射效应，2DEG的电子迁移率不会受到影响。
本发明授权一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构的制备方法，其特征在于，从下至上包括多个依次交替的GaN沟道层、AlGaN势垒层，所述GaN沟道层与AlGaN势垒层形成GaNAlGaN异质结，相邻两个所述GaNAlGaN异质结之间为沟道隔离层；所述GaN沟道层、AlGaN势垒层通过外延生长的方式制作而成，所述沟道隔离层通过InAlN牺牲层氧化或InAlN牺牲层氧化并腐蚀或InAlN牺牲层氧化、腐蚀并沉积介质制作得到。
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