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龙图腾网恭喜深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利一种耐高温短路IGBT的制造方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117219510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311435245.2，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种耐高温短路IGBT的制造方法及其结构是由王海强;朱勇华设计研发完成，并于2023-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐高温短路IGBT的制造方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耐高温短路IGBT的制造方法，包括如下步骤：在N型硅衬底光刻出有源区后进行离子注入形成载流子存储层，注入离子为磷离子，注入剂量为1E+11~1E+13，注入能量为500KeV‑2000KeV，通过等离子体增强化学气相沉积法淀积厚度为1‑4um的SiO2作为硬掩膜,再进行光刻后对SiO2进行刻蚀，去除光刻胶；采用干法刻蚀工艺对硅衬底进行刻蚀后得到深度为2‑8um的沟槽结构，去除SiO2硬掩膜，再通过热氧化工艺形成厚度为20‑150nm的栅极氧化层SiO2；本发明提供的一种耐高温短路IGBT的制造方法及其结构具有实现减小Vth随温度升高而降低依赖性的优点。

本发明授权一种耐高温短路IGBT的制造方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种耐高温短路IGBT的制造方法，包括如下步骤：在N型硅衬底光刻出有源区后进行离子注入形成载流子存储层，注入离子为磷离子，注入剂量为1E+11~1E+13，注入能量为500KeV-2000KeV，通过等离子体增强化学气相沉积法淀积厚度为1-4um的SiO2作为硬掩膜,再进行光刻后对SiO2进行刻蚀，去除光刻胶；采用干法刻蚀工艺对硅衬底进行刻蚀后得到深度为2-8um的沟槽结构，去除SiO2硬掩膜，再通过热氧化工艺形成厚度为20-150nm的栅极氧化层SiO2；通过磁控溅射工艺淀积铁电材料PVDF–TrFE，厚度为50-500nm，再沉积多晶硅填充沟槽后刻蚀去除表面多晶硅；通过光刻和P型离子注入在衬底上层形成P基区，去胶后进行高温推结，注入的P型例子为硼离子，注入剂量为5E+12~5E+14，注入能量为20-2000KeV，通过光刻和N型离子注入形成N+发射极，注入的N型离子为磷或砷离子，注入剂量为1E+14~1E+16，注入能量为60-1000KeV，去胶后退火；沉积隔离介质层，总厚度为1-4um，通过光刻刻蚀出接触孔，通过离子注入形成P+接触，其中第一次注入BF2，注入剂量为5E+13~1E+16，注入能量为20-120KeV，第二次注入硼离子，注入剂量为5E+13~1E+16，注入能量20-120KeV，进行退火激活杂质，沉积顶层金属。

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