恭喜中国长江三峡集团有限公司李雨抒获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国长江三峡集团有限公司申请的专利一种具有高击穿强度的薄膜电容器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117650013B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311398415.4，技术领域涉及：H01G4/33；该发明授权一种具有高击穿强度的薄膜电容器及其制备方法和应用是由李雨抒;邓友汉;陈圣哲;余意;宋子达;陈静设计研发完成，并于2023-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高击穿强度的薄膜电容器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于电路元件制备技术领域，具体涉及一种具有高击穿强度的薄膜电容器及其制备方法和应用。该薄膜电容器包括聚合物电介质和掺杂在聚合物电介质中的纳米片；所述纳米片在薄膜电容器中沿水平方向取向。本发明提供的薄膜电容器具有十分优异的击穿强度。本发明提供的掺杂有纳米片的聚合物薄膜电容器，纳米片在薄膜电容器中沿水平方向取向，垂直于施加外电场的方向，可以有效阻碍沿外电场方向的导电通道，从而提高薄膜电容器击穿强度。
本发明授权一种具有高击穿强度的薄膜电容器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有高击穿强度的薄膜电容器的制备方法，其特征在于，包括：采用拉伸、电场诱导或旋涂的方法，使纳米片在薄膜电容器中沿水平方向取向；取向后的纳米片与水平之间的夹角不高于10°；在使纳米片在薄膜电容器中沿水平方向取向的过程中还包括加热的步骤；所述加热的温度低于聚合物电介质的熔点；所述纳米片的参数：横向尺寸0.5-5μm，厚度小于10nm；以体积分数为单位，所述薄膜电容器中纳米片的掺杂量为1.5％-15％；所述加热的温度与所述薄膜电容器中聚合物电介质熔点的差值为5-10℃。
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