恭喜重庆文理学院唐华获国家专利权
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龙图腾网恭喜重庆文理学院申请的专利一种双层堆叠硫锑银基梯度薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211383955.0，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种双层堆叠硫锑银基梯度薄膜及其制备方法是由唐华;李皓阳;程江;孟祥;李璐设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双层堆叠硫锑银基梯度薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：一种双层堆叠硫锑银基梯度薄膜，以硫锑银（AgSbS2）为基体，添加铟（In）制备的AgInxSbS,Se2为第一层，添加锑（Sb）形成AgSb1+yS,Se2为第二层，其中x=0.1~0.5，y=0.1~0.5。本发明中双吸收层梯度带隙AgInxSbS,Se2AgSb1+yS,Se2薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，双吸收层的配合在保有AgInxSbS,Se2薄膜高的短路电流的基础上，通过第二层的AgSb1+yS,Se2减小了开路电压的降低，通过双吸收层配合，使得整个太阳能电池的效率提升至最大3.5%，以AgInxSbS,Se2AgSb1+yS,Se2薄膜作为吸收层的ITOCdSAgIn0.5SbS,Se2AgSb1.25S,Se2Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到17mA·cm‑2，Voc达到396.5mV，FF为52.7%。
本发明授权一种双层堆叠硫锑银基梯度薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双层堆叠硫锑银基梯度薄膜，其特征在于：所述薄膜是以硫锑银（AgSbS2）为基体，添加铟（In）制备的AgInxSbS,Se2为第一层，添加锑（Sb）形成AgSb1+yS,Se2为第二层，其中x=0.1~0.5，y=0.1~0.5。
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