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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利光学临近修正模型的建模方法及光学临近修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115598922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211320040.5，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学临近修正模型的建模方法及光学临近修正方法是由王雷设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学临近修正模型的建模方法及光学临近修正方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光学临近修正模型的建模方法及基于该光学临近修正模型的光学临近修正方法，应用于半导体技术领域。具体的，在本发明中其通过在光学临近修正模型OPC修正模型的建模过程中加入与测试图形的图形密度相关的变量的方式，使建立的OPC模型中包含图形关键尺寸与图形密度相关变量之间的映射关系，以提出一种新型的OPC修正模型。之后，再利用该OPC修正模型确定出测试图形在不同图形密度环境中的关键尺寸畸变情况，然后根据该畸变情况与测试图形的设计关键尺寸做对比，便可确定出OPC修正过程对测试图形的修正量，从而OPC修正过程中的准确度，进而提高了版图的工艺窗口和有效提升了产品良率。

本发明授权光学临近修正模型的建模方法及光学临近修正方法在权利要求书中公布了：1.一种光学临近修正模型的建模方法，其特征在于，所述建模方法包括：设置N组具有不同图形密度的OPC测试图形，其中N大于等于2，且所述具有不同图形密度的每组OPC测试图形中至少包含一主图形Pi和设置在该主图形Pi周边且与其具有不同设计距离的至少一辅助图形Ai；分别收集所述具有不同图形密度的每组OPC测试图形的硅片数据，所述硅片数据包括所述主图形Pi制作在硅片上的实际关键尺寸，并根据所述硅片数据建立所述主图形Pi在硅片上的实际关键尺寸随所述OPC测试图形的图形密度变化而变化的映射关系，即建立了所述光学临近修正模型；其中，所述主图形Pi在硅片上的实际关键尺寸随所述OPC测试图形的图形密度变化而变化的映射关系，包括：所述主图形Pi在硅片上的实际关键尺寸随所述辅助图形Ai的设计面积以及主图形Pi与辅助图形Ai之间的设计距离变化而变化的函数关系；和或，所述主图形Pi在硅片上的实际关键尺寸随在一预设区域内所述辅助图形Ai的设计面积与所述预设区域的面积之比的比值的变化而变化的函数关系。

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