恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所伯扬获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115220150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210680007.7，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线及其制备方法是由伯扬;蔡艳;王金玉设计研发完成，并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线及其制备方法，由下至上包括衬底1、波导区和顶部氧化层5；所述波导区由下至上包括第一波导层2、隔离层3和第二波导层4；其中，所述第二波导层4具有交错设置的深浅沟槽。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光栅的发射效率，同时具有有效发射长度长的优点，有助于相控阵列探测距离的提升和高功率输出器件的实现。
本发明授权一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线，由下至上包括衬底1、波导区和顶部氧化层5；其特征在于：所述波导区由下至上包括第一波导层2、隔离层3和第二波导层4；其中，所述第二波导层4具有交错设置的深浅沟槽；所述第二波导层4深沟槽的深度为260nm；浅沟槽的深度为180nm；所述第一波导层2的厚度为90nm；第二波导层4的厚度为540nm。
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