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龙图腾网恭喜飞锃半导体(上海)有限公司申请的专利SiC MOSFET的软关断电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114915145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210498816.6，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权SiC MOSFET的软关断电路及方法是由赵凤俭设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC MOSFET的软关断电路及方法在说明书摘要公布了：本申请技术方案提供一种SiCMOSFET的软关断电路及方法，所述软关断电路包括：输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiCMOSFET的驱动脉冲信号并输出，还用于输出与所述驱动脉冲信号同步的控制信号；输出级功率放大电路，与所述输出侧逻辑控制模块电连接，并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大，并输出至所述SiCMOSFET；软关断模块，电连接所述输出侧逻辑控制模块和所述输出级功率放大电路，且被配置为在所述SiCMOSFET发生短路或过流故障后，使驱动脉冲电压逐渐降低，以实现驱动脉冲信号的延时关断。本申请技术方案的软关断电路及方法，能够在SiCMOSFET发生短路或过流故障时，实现SiCMOSFET的延时关断。

本发明授权SiC MOSFET的软关断电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET的软关断电路，其特征在于，包括：输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiCMOSFET的驱动脉冲信号并输出，还用于输出与所述驱动脉冲信号同步的控制信号；输出级功率放大电路，与所述输出侧逻辑控制模块电连接，并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大，并输出至所述SiCMOSFET；软关断模块，电连接所述输出侧逻辑控制模块和所述输出级功率放大电路，且被配置为在所述SiCMOSFET发生短路或过流故障后，执行如下操作：在第一阶段，使驱动脉冲电压由第一正压降低至第二正压；在第二阶段，使所述驱动脉冲电压由所述第二正压降低至第三正压；待所述输出级功率放大电路输出的驱动脉冲信号为关断信号时进行第三阶段，使所述驱动脉冲电压由所述第三正压降低至负压，使驱动脉冲电压逐渐降低，以实现驱动脉冲信号的延时关断，所述软关断模块包括：第四MOS管，所述第四MOS管的栅极电连接所述输出侧逻辑控制模块，源端电连接输出侧地；第八电容，所述第八电容的第一端电连接所述输出侧地；第十三电阻，所述第十三电阻的第一端电连接所述第四MOS管的漏端，第二端电连接所述第八电容的第二端；第十四电阻，所述第十四电阻的第一端电连接直流正压，第二端电连接所述第八电容的第二端；第三二极管，所述第三二极管的阳极电连接输出级功率放大电路，阴极电连接所述第八电容的第二端；第五MOS管，所述第五MOS管的栅极电连接所述输出侧逻辑控制模块，源端接输出侧地；第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的阳极电连接所述第五MOS管的漏极，阴极电连接所述输出级功率放大电路；其中，在所述第一阶段，所述输出侧逻辑控制模块向所述第五MOS管发送导通信号，所述第五MOS管导通；在所述第二阶段，所述输出侧逻辑控制模块向所述第四MOS管发送导通信号，所述第四MOS管导通；在所述第三阶段，所述输出侧逻辑控制模块向所述第四MOS管和所述第五MOS管发送关断信号，所述第四MOS管和所述第五MOS管关断。

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