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龙图腾网恭喜广东先导微电子科技有限公司申请的专利一种降低晶片表面硅残留的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111638679.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种降低晶片表面硅残留的方法是由廖彬;周铁军;曾琦;王驭辉;张昌文;翁吉露设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低晶片表面硅残留的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低晶片表面硅残留的方法，属于半导体技术领域。本发明的一种降低晶片表面硅残留的方法，包括以下步骤：1将表面活性剂和强碱弱酸盐溶于去离子水中，得晶片清洗液；2用晶片清洗液处理晶片后并用去离子水冲洗；3用HF水溶液处理晶片后并用去离子水冲洗；4用碱性溶液处理晶片后并用去离子水冲洗，接着干燥冲洗后的晶片；本发明先用表面活性剂和强碱弱酸盐对晶片进行初步清洗，接着再依次酸洗、碱洗，此种清洗方法组合能够在尽可能少用量的清洗剂下有效的降低晶片表面的硅浓度、提升晶片的清洗质量、保证清洗后晶片表面的平整度，同时，本发明技术方案提供的方法操作简单、耗时短，能够应用于实际。

本发明授权一种降低晶片表面硅残留的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低晶片表面硅残留的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将表面活性剂和强碱弱酸盐溶于去离子水中，得晶片清洗液；（2）用晶片清洗液处理晶片后并用去离子水冲洗；（3）用HF水溶液处理晶片后并用去离子水冲洗；（4）用碱性溶液处理晶片后并用去离子水冲洗，接着干燥冲洗后的晶片；所述表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚类非离子表面活性剂；所述强碱弱酸盐为碳酸钠、碳酸钾、醋酸钠、磷酸钠、硅酸钠、醋酸钾中的至少一种；所述表面活性剂与强碱弱酸盐的质量比为（1.2-2.0）：1；所述表面活性剂和强碱弱酸盐的质量之和与去离子水的体积的比为（15-25）g：1L；所述步骤（3）中，HF水溶液中HF的质量浓度为5-40%，处理的时间为10-60秒，处理的温度≤25℃；所述步骤（4）中，碱性溶液的pH值为11-13。

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