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龙图腾网恭喜铠强科技(平潭)有限公司申请的专利带隙基准电路及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113985955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111462894.2，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权带隙基准电路及控制方法是由杨士斌;黄照兴;丁懿慧设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本带隙基准电路及控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种带隙基准电路及控制方法，该带隙基准电路包括：恒流电源模块和补偿模块，恒流电源模块至少包括启动单元和电流镜单元，补偿模块包括至少一个增强型MOS管和至少一个耗尽型MOS管，PMOS管MP5的漏极与补偿模块中的第一增强型MOS管的漏极相连，第一增强型MOS管的源极与第二耗尽型MOS管的漏极相连；或PMOS管MP5的漏极与补偿模块中的第一耗尽型MOS管的漏极相连，第一耗尽型MOS管的源极与第二增强型MOS管的漏极相连，解决了现有采用BJT管的发射极‑基极电压的负温特性构建零温的带隙基准存在电路功耗大、电路复杂的问题，达到了实现电压零温的同时降低功耗和减小电路面积的效果。

本发明授权带隙基准电路及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括：恒流电源模块和补偿模块，所述恒流电源模块至少包括启动单元和电流镜单元，所述补偿模块包括至少一个增强型MOS管和至少一个耗尽型MOS管，增强型MOS管和耗尽型MOS管串联，所述启动单元和所述电流镜单元相连，所述电流镜单元中的PMOS管MP5的源极连接预设电压；PMOS管MP5的漏极与所述补偿模块中的第一增强型MOS管的漏极相连，所述第一增强型MOS管的源极与第二耗尽型MOS管的漏极相连；或PMOS管MP5的漏极与所述补偿模块中的第一耗尽型MOS管的漏极相连，所述第一耗尽型MOS管的源极与第二增强型MOS管的漏极相连；所述带隙基准电路的控制方法包括：获取耗尽型MOS管栅源电压的负温电压值和增强型MOS管栅源电压；根据所述负温电压值和栅源电压的差值，确定正温度系数电压；根据所述正温度系数电压和增强型MOS管的线性区电阻，确定正温电流；根据所述正温电流和增强型MOS管的线性区电阻，确定正温电压；根据所述正温电压和耗尽型MOS管栅源电压负温电压，调整比例系数，以使电压零温度系数小于预设值。

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