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龙图腾网恭喜桂林电子科技大学申请的专利应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112671407B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011495280.X，技术领域涉及：H03M1/12；该发明授权应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路是由段吉海;周继东;韦保林;徐卫林;韦雪明;岳宏卫设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，采用单相时钟SP，在采样时通过第一级自举电路和辅助级自举电路将采样MOS管MS的栅极电压置为Vin+2VDD，从而使得采样MOS管MS的栅极‑源极电压差在采样阶段恒定为2VDD，采样管的导通电阻进一步变小，使线性度提高，采样开关电路的精度也有所提高；基于提出的两级自举电路，采用第六NMOS管M6和第七NMOS管M7串联作为采样MOS管MS的衬底开关，当处于采样模式时，采样MOS管MS的栅极电位与衬底电位保持一致，减小采样MOS管MS的衬偏效应，降低谐波失真。

本发明授权应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路在权利要求书中公布了：1.应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，其特征是，由输入反相器、第一级自举电路、辅助级自举电路、衬底开关和采样电路组成；输入反相器包括MOS管M1和MOS管M2；第一级自举电路包括MOS管M3a、MOS管M3b、MOS管M3c、MOS管M3d和电容C1；辅助级自举电路包括MOS管M4a、MOS管M4b、MOS管M4c、MOS管M4d、MOS管M5和电容C2；衬底开关包括MOS管M6和MOS管M7；采样电路包括采样MOS管MS；MOS管M1的源极、MOS管M3a的源极和MOS管M4a的源极连接工作电压VDD；MOS管M2的源极、MOS管M3c的源极、MOS管M4c的源极、MOS管M4d的源极、MOS管M7的源极接地；MOS管M1的栅极与MOS管M2的栅极同时连接单相时钟SP；电容C1的上极板连接MOS管M3a的漏极和MOS管M3b的源极；电容C1下极板连接MOS管M3c漏极和MOS管M3d的源极；MOS管M3a的栅极、MOS管M3b的漏极和MOS管M3d的栅极连接；MOS管M3b的栅极、MOS管M3d的漏极和MOS管M3c的栅极连接MOS管M2的漏极；电容C2的上极板连接MOS管M4a的漏极和MOS管M4b的源极；电容C2的下极板和MOS管M4c的漏极连接MOS管M3d的栅极；MOS管M4a的栅极、MOS管M4b的漏极、MOS管M4d的漏极和MOS管M5的栅极连接；MOS管M4b的栅极连接MOS管M3b的栅极；MOS管M4c的栅极和MOS管M4d的栅极连接MOS管M3c的栅极；MOS管M5的源极连接MOS管M3d的源极；MOS管M5的漏极连接MOS管M6的漏极；MOS管M6的栅极连接MOS管M4b的漏极；MOS管M6的源极连接MOS管M7的漏极；MOS管M7的栅极连接MOS管M4d的栅极；采样MOS管MS的栅极连接MOS管M5的栅极，采样MOS管MS的源极和MOS管M6的漏极连接输入信号Vin，采样MOS管MS的漏极连接输出信号Vout，采样MOS管MS衬底连接到MOS管M7的漏极。

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