恭喜中国科学院微电子研究所贺晓彬获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利光刻显影的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112327584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011185746.6，技术领域涉及：G03F7/30；该发明授权光刻显影的方法是由贺晓彬;张青竹;李博;刘金彪;张兆浩;李亭亭;李俊峰;杨涛设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻显影的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种光刻显影的方法光刻显影的方法，包括以下步骤：在晶圆上涂敷光刻胶并对光刻胶进行曝光；然后对晶圆进行显影；控制晶圆旋转，并对显影处理后的晶圆进行冲洗；将冲洗处理后的晶圆甩干；其中，在冲洗过程中，晶圆在预设时间内在第一转速和第二转速之间交替变化。将晶圆的转速进行了分段式交替变化，避免冲水过程中，晶圆的过高转速对光刻胶表面造成的损伤。
本发明授权光刻显影的方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻显影的方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述晶圆上涂敷光刻胶；对所述晶圆进行曝光和显影；所述显影的显影液的喷射包括：控制晶圆以旋转速度为700rpm进行旋转，同时向该晶圆上喷射出显影液，然后将晶圆700rpm维持一段时间后，降低至70rpm，然后再降低至30rpm；控制晶圆旋转，并使用去离子水对显影处理后的晶圆进行冲洗；将冲洗处理后的晶圆甩干；其中，在冲洗过程中，所述晶圆在预设时间内在第一转速和第二转速之间交替变化，交替变化5次；所述第一转速和第二转速交替变化的时间相同；所述预设时间为25-35s，所述第一转速为1000-1500rpm，所述第二转速为500-800rpm。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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