恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郑有宏获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片以及形成隔离结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112713156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011139401.7，技术领域涉及：H10D86/00；该发明授权集成芯片以及形成隔离结构的方法是由郑有宏;吴政达;刘珀玮;杜友伦;张煜群设计研发完成，并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片以及形成隔离结构的方法在说明书摘要公布了：在一些实施例中，本发明涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括半导体装置、多晶硅隔离结构以及第一绝缘体衬垫及第二绝缘体衬垫。半导体装置设置在衬底的前侧上。多晶硅隔离结构连续地环绕半导体装置且从衬底的前侧朝衬底的后侧延伸。第一绝缘体衬垫及第二绝缘体衬垫分别环绕多晶硅隔离结构的第一最外侧壁及第二最外侧壁。衬底包括布置在第一绝缘体衬垫与第二绝缘体衬垫之间的单晶态小平面。单晶态小平面的顶部位于多晶硅隔离结构的最底表面、第一绝缘体衬垫的最底表面及第二绝缘体衬垫的最底表面上方。本发明也涉及一种形成隔离结构的方法。本发明在集成到同一衬底上的各种半导体装置之间提供可靠的电隔离。
本发明授权集成芯片以及形成隔离结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括：单晶态基础层；有源层，布置在所述单晶态基础层之上；绝缘体层，将所述有源层与所述单晶态基础层隔开；半导体装置，设置在所述有源层的前侧上；多晶硅隔离结构，连续地环绕所述半导体装置，以及延伸穿过所述有源层与所述绝缘体层且延伸到所述单晶态基础层中；以及第一绝缘体衬垫及第二绝缘体衬垫，分别环绕所述多晶硅隔离结构的第一最外侧壁及所述多晶硅隔离结构的第二最外侧壁且延伸到所述单晶态基础层中，其中所述单晶态基础层包括布置在所述第一绝缘体衬垫与所述第二绝缘体衬垫之间的单晶态小平面，其中所述单晶态小平面的顶部位于所述多晶硅隔离结构的最底表面、所述第一绝缘体衬垫的最底表面及所述第二绝缘体衬垫的最底表面上方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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