恭喜聚灿光电科技(宿迁)有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利LED芯片及LED芯片制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111864026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010892949.2，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权LED芯片及LED芯片制造方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED芯片及LED芯片制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种LED芯片及LED芯片制造方法，LED芯片包括衬底和设于其上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层、N电极和P电极，透明导电层设有第一窗口区，第一窗口区设于P型半导体层上方，暴露出N型半导体层；于第一窗口区内，P型半导体层上设有厚度范围为0.5‑10nm、具有优良粘附性的金属层，金属层上方设有绝缘层，金属层与透明导电层电性连接；N电极包括N电极焊盘部和N电极扩展部，N电极焊盘部设于绝缘层上方，N电极扩展部电性连接至N型半导体层。保留了位于N电极下方的发光层，在绝缘层下方区域采用金属层代替透明导电层，具有优良粘附性的金属层稳固粘附绝缘层和半导体层，且纳米级厚度的金属层呈透明状，具有透光性，使N电极下方的发光区域得到有效利用。
本发明授权LED芯片及LED芯片制造方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，包括衬底和设于其上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层、N电极和P电极，其特征在于，所述透明导电层设有第一窗口区，所述第一窗口区设于所述P型半导体层上方，暴露出所述P型半导体层；于所述第一窗口区内，所述P型半导体层上设有厚度范围为0.5-10nm、具有优良粘附性的金属层，所述金属层上方设有绝缘层，所述金属层与所述透明导电层电性连接；所述N电极包括N电极焊盘部和N电极扩展部，N电极焊盘部设于所述绝缘层上方，所述N电极扩展部电性连接至所述N型半导体层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人聚灿光电科技(宿迁)有限公司，其通讯地址为：223800 江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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