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龙图腾网恭喜无锡恒芯微科技有限公司申请的专利一种高低压保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111404123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010397005.8，技术领域涉及：H02H7/125；该发明授权一种高低压保护电路是由吴建良;顾南昌;吴洁设计研发完成，并于2020-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高低压保护电路在说明书摘要公布了：本发明涉及电源管理领域,公开了一种高低压保护电路，包括电压转换模块、欠压锁定模块、基准电压模块、振荡器、计时器、电压检测模块、逻辑控制模块、驱动电路和MOS管，电压转换模块将母线电压转换为工作电压，欠压锁定模块在所述工作电压高于设定的启动电压时输出启动信号，基准电压模块向电压检测模块输入基准电压，电压检测模块对母线电压进行检测，逻辑控制模块通过驱动电路控制MOS管导通或者关闭。本发明设计新颖，在母线电压过高或者过低时进行电压保护，使控制电路系统与母线之间为断路，进而防止电路控制系统因母线电压波动过大而损坏。

本发明授权一种高低压保护电路在权利要求书中公布了：1.一种高低压保护电路，其特征在于：包括电压转换模块、欠压锁定模块、基准电压模块、振荡器、计时器、电压检测模块、逻辑控制模块、驱动电路和MOS管；所述电压转换模块将母线电压转换为工作电压；所述欠压锁定模块在所述工作电压高于设定的启动电压时输出启动信号；所述基准电压模块向电压检测模块输入基准电压VUP、基准电压VDN和基准电压VST，所述基准电压VUP用于判断母线电压是否高于高压阈值，所述基准电压VDN用于判断母线电压是否低于低压阈值，所述基准电压VST用于在初始上电时检测母线电压是否小于MOS管的开启电压；所述电压检测模块包括采样电路、第一电压比较器、第二电压比较器和第三电压比较器，所述采样电路对母线电压进行采样并将采样电压输入到第一电压比较器的正向输入端、第二电压比较器的负向输入端和第三电压比较器的负向输入端，所述第一电压比较器的负向输入端接入基准电压VUP，所述第二电压比较器的正向输入端接入基准电压VDN，所述第三电压比较器的正向输入端接入基准电压VST，所述第一电压比较器、第二电压比较器和第三电压比较器的输出端均电连接逻辑控制模块；所述逻辑控制模块分别向驱动电路输入驱动信号和向振荡器输入控制信号，所述驱动电路的输出端与MOS管的栅极电连接，所述MOS管的源极与外围电路电连接，所述MOS管的漏极接地，所述计时器根据振荡器的输出信号进行计时，并在计时时间到后向逻辑控制模块输入计时到信号；还包括过流检测模块，所述过流检测模块的一输入端分别电连接采样电阻RCS一端和所述MOS管的漏极，所述过流检测模块的另一输入端接入过流基准电压，所述过流检测模块的输出端电连接逻辑模块，所述采样电阻RCS另一端接地；所述采样电路包括第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4和电阻R1，所述第三NMOS管的漏极分别电连接第三NMOS管N3的栅极、第四NMOS管N4的栅极和采样电阻RUP一端，所述采样电阻RUP另一端接入母线，所述第三NMOS管N3的源极分别电连接第一NMOS管N1的漏极和第一NMOS管N1的栅极和第二NMOS管N2的栅极，所述第一NMOS管N1的源极和第二NMOS管N2的源极均接地，所述第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极均接入电源，所述第一PMOS管P1的栅极分别电连接第二PMOS管P2的栅极、第一PMOS管P1的漏极和第三PMOS管P3的源极，所述第二PMOS管P2的漏极电连接第四PMOS管P4的源极，所述第三PMOS管P3的栅极分别电连接第四PMOS管P4的栅极、第三PMOS管P3的漏极和第四NMOS管N4的漏极，所述第四PMOS管P4的漏极分别电连接第一电压比较器的正向输入端、第二电压比较器的负向输入端、第三电压比较器的负向输入端和电阻R1一端，电阻R1另一端接地。

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