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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010165603.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体元件及其制造方法是由萧逸璿设计研发完成，并于2020-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括：衬底，具有第一导电型；阱区，具有第二导电型，设置于所述衬底中；源极区与漏极区，具有所述第二导电型，分别位于所述衬底与所述阱区中，其中所述源极区与所述漏极区之间包括多个直线区域以及多个转弯区域；栅极结构，设置于所述源极区与所述漏极区之间的所述衬底上；多个第一顶掺杂区，具有所述第一导电型，设置于每一所述多个直线区域中；以及多个第二顶掺杂区，具有所述第一导电型，设置于每一所述多个转弯区域中且与所述每一转弯区域共形。

本发明授权半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括：衬底，具有第一导电型；阱区，具有第二导电型，设置于所述衬底中；源极区与漏极区，具有所述第二导电型，所述漏极区位于所述衬底中，所述漏极区位于所述阱区中，其中所述源极区与所述漏极区之间包括多个直线区域以及多个转弯区域；栅极结构，设置于所述源极区与所述漏极区之间的所述衬底上；多个第一顶掺杂区，具有所述第一导电型，设置于每一所述多个直线区域中；以及多个第二顶掺杂区，具有所述第一导电型，设置于每一所述多个转弯区域中且与所述每一转弯区域共形；其中，所述每一转弯区域包括第一区域、第二区域与第三区域，所述第二区域位于所述第一区域与所述第三区域之间，且所述第三区域比所述第一区域接近所述漏极区，在所述第一区域的所述多个第二顶掺杂区之间的间隙宽度与所述多个第二顶掺杂区的宽度具有第一比例范围，在所述第二区域的所述多个第二顶掺杂区之间的间隙宽度与所述多个第二顶掺杂区的宽度具有第二比例范围，在所述第三区域的所述多个第二顶掺杂区之间的间隙宽度与所述多个第二顶掺杂区的宽度具有第三比例范围，所述第一比例范围与所述第二比例范围不同，且与所述第三比例范围不同。

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