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龙图腾网恭喜厦门乾照半导体科技有限公司申请的专利高反射LED倒装芯片及其制作方法、封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111244242B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010149811.3，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权高反射LED倒装芯片及其制作方法、封装结构是由王涛;朱国健设计研发完成，并于2020-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本高反射LED倒装芯片及其制作方法、封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种高反射LED倒装芯片及其制作方法、封装结构。本发明通过将接触电极之间的距离做小，再增设一层第二透明绝缘层，在第二透明绝缘层上开设焊接孔，使得焊接间距不变，既能够大幅提高芯片外量子效率，又可降低侧面和电极面的出光，从而实现在封装形式不变的情况下有效地提升亮度。解决了现有技术中因接触电极之间的距离大而导致出光效率低的问题。

本发明授权高反射LED倒装芯片及其制作方法、封装结构在权利要求书中公布了：1.一种高反射LED倒装芯片，包括：由下至上依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层上的第一欧姆接触层；设于所述第二半导体层上的第二欧姆接触层；以及覆盖于芯片表面的第一透明绝缘层，所述第一透明绝缘层对应第一欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第一欧姆接触层的第一通孔，所述第一透明绝缘层对应第二欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第二欧姆接触层的第二通孔；其特征在于，还包括第一接触电极、第二接触电极和第二透明绝缘层，所述第一接触电极通过所述第一通孔与所述第一欧姆接触层接触，所述第二接触电极通过所述第二通孔与所述第二欧姆接触层接触，所述第一接触电极和第二接触电极具有间隙；所述第二透明绝缘层覆盖于第一接触电极和第二接触电极表面，所述第二透明绝缘层对应第一接触电极和第二接触电极的位置分别具有贯穿第二透明绝缘层上下表面且暴露第一接触电极和第二接触电极的焊接孔；所述第一接触电极和第二接触电极之间的间隙小于或等于30um；其中，所述第二透明绝缘层的厚度小于1.5um；所述第二透明绝缘层填充所述第一接触电极和第二接触电极之间的间隙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门乾照半导体科技有限公司，其通讯地址为：361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路267号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。