恭喜三星电子株式会社李同规获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利磁存储器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111200058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910932168.9,技术领域涉及:H10N50/10;该发明授权磁存储器件是由李同规设计研发完成,并于2019-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储器件在说明书摘要公布了:磁存储器件可以包括:在基板上的磁隧道结图案;导线,在所述基板与所述磁隧道结图案之间延伸,并与所述磁隧道结图案的底表面接触;以及底部图案,位于所述导线与所述基板之间并与所述导线的底表面接触。导线的材料可以具有第一晶格常数,并且底部图案的材料可以具有小于导线的第一晶格常数的第二晶格常数。备选地或另外地,底部图案包括金属氮化物,并且底部图案的氮含量高于底部图案的金属元素含量。
本发明授权磁存储器件在权利要求书中公布了:1.一种磁存储器件,包括:基板上的磁隧道结图案;导线,在所述基板与所述磁隧道结图案之间延伸,并与所述磁隧道结图案的底表面接触,其中,所述导线具有第一晶格常数;以及底部图案,位于所述导线与所述基板之间并与所述导线的底表面接触,其中,所述底部图案具有第二晶格常数,所述第二晶格常数小于所述导线的第一晶格常数,其中,所述导线的底表面的晶粒密度大于所述导线的顶表面的晶粒密度。
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