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恭喜科磊股份有限公司R·弗克维奇获国家专利权

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龙图腾网恭喜科磊股份有限公司申请的专利用于测量及校正半导体装置中的层之间的偏移的方法及用于其中的偏移目标获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113924638B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980096802.8,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权用于测量及校正半导体装置中的层之间的偏移的方法及用于其中的偏移目标是由R·弗克维奇;R·米洛;L·叶鲁舍米;M·查贝尔赤可;Y·弗莱;D·伊兹拉埃利设计研发完成,并于2019-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

用于测量及校正半导体装置中的层之间的偏移的方法及用于其中的偏移目标在说明书摘要公布了:一种用于半导体装置晶片的制造中的偏移的测量的方法,所述方法包含:在第一例子测量半导体装置晶片的层之间的偏移且提供第一偏移指示;在第二例子测量半导体装置晶片的层之间的偏移且提供第二偏移指示;响应于所述第一偏移指示与所述第二偏移指示之间的差而提供偏移测量差输出;提供基线差输出;及改善所述偏移测量差输出与所述基线差输出之间的差。

本发明授权用于测量及校正半导体装置中的层之间的偏移的方法及用于其中的偏移目标在权利要求书中公布了:1.一种用于半导体装置晶片的制造中的偏移的测量的方法,所述方法包括:在第一过程阶段后在第一例子测量半导体装置晶片的层之间的偏移且提供第一偏移指示;在续接所述第一过程阶段的第二过程阶段后在第二例子测量半导体装置晶片的层之间的偏移且提供第二偏移指示;响应于所述第一偏移指示与所述第二偏移指示之间的差而提供偏移测量差输出;提供基线差输出,所述基线差输出是在所述第一例子处的所述偏移指示与在先前晶片上的所述第二例子处的所述偏移指示之间的差的平均值;及改善所述偏移测量差输出与所述基线差输出之间的差。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人科磊股份有限公司,其通讯地址为:美国加利福尼亚州;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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