恭喜三星电子株式会社任廷赫获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110504264B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910298285.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体装置是由任廷赫;金国桓;金完敦;朴正敏;朴钟昊;李炳训;河龙湖;玄尚镇;洪慧理设计研发完成，并于2019-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：根据本发明构思的示例实施例的半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和与第一区域水平地分开的第二区域；第一栅线，其位于第一区域中，第一栅线包括第一下功函数层和布置在第一下功函数层上的第一上功函数层；以及，第二栅线，其位于第二区域中，并且包括第二下功函数层，第二栅线在水平的第一方向上的宽度等于或窄于第一栅线在第一方向上的宽度，其中，第一上功函数层的最上端和第二下功函数层的最上端相对于与第一方向垂直的第二方向各自位于比第一下功函数层的最上端更高的竖直水平处。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：衬底，其具有第一区域和与所述第一区域水平地分开的第二区域；第一栅线，其位于所述第一区域中，所述第一栅线包括第一下功函数层和布置在所述第一下功函数层上的第一上功函数层；以及第二栅线，其位于所述第二区域中，包括第二下功函数层，并且在所述第二下功函数层上方不设置上功函数层，所述第二栅线在第一水平方向上的宽度等于或窄于所述第一栅线在所述第一水平方向上的宽度，所述第二下功函数层的材料与所述第一下功函数层的材料相同；其中，所述第一上功函数层的最上端和所述第二下功函数层的最上端相对于与所述第一水平方向垂直的第二方向各自位于比所述第一下功函数层的最上端更高的竖直水平处,其中，所述第一栅线还包括位于所述第一上功函数层上的第一导电阻挡层，并且其中，所述第一导电阻挡层的最上端位于比所述第一上功函数层的所述最上端更高的竖直水平处。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号