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龙图腾网获悉金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种能降低LID的背接触电池及其制备方法和电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119325305B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411866117.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种能降低LID的背接触电池及其制备方法和电池组件是由林楷睿设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种能降低LID的背接触电池及其制备方法和电池组件在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种能降低LID的背接触电池及其制备方法和电池组件，包括硅片，在硅片受光面依次设置的受光面钝化层、减反层，光面钝化层包含依次设置的第一隧穿氧化层和掺氢掺碳的硅层，硅层为非晶硅或多晶硅；减反层包含掺氢碳化硅膜层，掺氢碳化硅膜层包含依次设置的第一掺氢碳化硅层和第二掺氢碳化硅层，第一掺氢碳化硅层的掺碳浓度小于第二掺氢碳化硅层的掺碳浓度，第一掺氢碳化硅层的厚度为10‑30nm，第二掺氢碳化硅层的厚度为50‑100nm。本发明能够兼顾钝化效果、光学效果以及LID抗衰减能力，利于降低LID，提升电池稳定性，提高电池可靠性。

本发明授权一种能降低LID的背接触电池及其制备方法和电池组件在权利要求书中公布了：1.一种能降低LID的背接触电池，包括硅片，在硅片受光面依次设置的受光面钝化层、减反层，其特征在于，受光面钝化层包含依次设置的第一隧穿氧化层和掺氢掺碳的硅层，硅层为非晶硅或多晶硅；减反层包含掺氢碳化硅膜层，掺氢碳化硅膜层包含依次设置的第一掺氢碳化硅层和第二掺氢碳化硅层，第一掺氢碳化硅层的掺碳浓度小于第二掺氢碳化硅层的掺碳浓度，第一掺氢碳化硅层的厚度为10-30nm，第二掺氢碳化硅层的厚度为50-100nm，且掺氢掺碳的硅层中掺氢浓度与第一掺氢碳化硅层的掺氢浓度的比为1：（1-10），掺氢掺碳的硅层中掺氢浓度与第二掺氢碳化硅层的掺氢浓度的比为1：（1-16），第一掺氢碳化硅层的掺碳浓度为1×1018cm-3-9×1019cm-3，第二掺氢碳化硅层的掺碳浓度为1×1019cm-3-9×1020cm-3，第一掺氢碳化硅层的掺氢浓度为1×1021cm-3-6×1022cm-3，第二掺氢碳化硅层的掺氢浓度为1×1021cm-3-6×1022cm-3，掺氢掺碳的硅层中掺氢浓度为1×1020cm-3-9×1021cm-3，掺氢掺碳的硅层中掺碳浓度为1×1018cm-3-3.3×1019cm-3。

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