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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利三维半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110838495B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910717479.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维半导体器件是由白石千设计研发完成，并于2019-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维半导体器件在说明书摘要公布了：一种三维半导体器件包括：堆叠结构，位于下部结构上；竖直沟道结构，穿过所述堆叠结构；以及第一竖直支撑结构，穿过所述堆叠结构并与所述竖直沟道结构间隔开。所述堆叠结构包括在垂直于所述下部结构的上表面的竖直方向上交替堆叠的层间绝缘层和栅极水平图案。所述竖直沟道结构和所述第一竖直支撑结构具有不同的截面形状。所述竖直沟道结构还包括沟道半导体层。所述竖直沟道结构包括第一竖直区域、第二竖直区域以及位于所述第一竖直区域与所述第二竖直区域之间的宽度变化部分。所述层间绝缘层包括与所述宽度变化部分相邻的中间层间绝缘层。所述中间层间绝缘层与在所述竖直方向上与其相邻的层间绝缘层具有相同的厚度。

本发明授权三维半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体器件，所述三维半导体器件包括：硅衬底；堆叠结构，所述堆叠结构位于所述硅衬底上，并且包括在竖直方向上交替堆叠的层间绝缘层和栅极水平图案，所述竖直方向垂直于所述硅衬底的上表面，其中，所述栅极水平图案在第一区域中在所述竖直方向上堆叠在所述硅衬底上并且沿水平方向从所述第一区域延伸，所述水平方向平行于所述硅衬底的所述上表面，其中，所述栅极水平图案包括在与所述第一区域相邻的第二区域中以阶梯形状布置的焊盘区域，并且所述栅极水平图案包括第一栅极水平图案和位于所述第一栅极水平图案上的第二栅极水平图案；覆盖绝缘层，所述覆盖绝缘层位于所述堆叠结构上；竖直沟道结构，所述竖直沟道结构在所述第一区域中设置在穿过所述堆叠结构的第一孔内；竖直支撑结构，所述竖直支撑结构在所述第二区域中设置在穿过所述覆盖绝缘层和所述堆叠结构的第二孔内并在所述水平方向上与所述竖直沟道结构间隔开；以及分隔结构，所述分隔结构在所述竖直方向上延伸以穿过所述堆叠结构和所述覆盖绝缘层；缓冲水平图案，所述缓冲水平图案由绝缘材料形成并且设置在所述第一栅极水平图案和所述第二栅极水平图案之间；以及保护图案，所述保护图案设置在所述分隔结构和所述缓冲水平图案之间，并且由与所述缓冲水平图案的绝缘材料不同的绝缘材料形成，其中，所述栅极水平图案设置在所述分隔结构之间，其中，所述竖直沟道结构包括竖直芯图案、位于所述竖直芯图案的侧表面上的沟道层、位于所述沟道层的外表面上的数据存储层和位于所述竖直芯图案上的焊盘图案，其中，所述竖直沟道结构的在所述竖直方向上的截面形状不同于所述竖直支撑结构的在所述竖直方向上的截面形状，其中，所述竖直沟道结构包括第一竖直区域、第二竖直区域以及位于所述第一竖直区域与所述第二竖直区域之间的宽度变化部分，其中，所述层间绝缘层包括与所述宽度变化部分相邻的中间层间绝缘层，其中，所述中间层间绝缘层和所述层间绝缘层中的在所述竖直方向上与所述中间层间绝缘层相邻的层间绝缘层具有基本相同的厚度，其中，所述竖直支撑结构包括单个绝缘材料层，其中，所述竖直支撑结构的宽度大于所述竖直沟道结构的宽度，其中，所述竖直支撑结构的下端和所述竖直沟道结构的下端位于比所述硅衬底的所述上表面低的高度处，并且其中，所述第二孔的侧壁的上端位于比所述第一孔的侧壁的上端高的高度处。

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