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龙图腾网恭喜田中电子工业株式会社申请的专利钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、及使用了其的引线接合结构、半导体装置以及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113748493B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980091220.0，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、及使用了其的引线接合结构、半导体装置以及其制造方法是由天野裕之;安德优希;桑原岳;市川司;松泽修;陈炜设计研发完成，并于2019-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、及使用了其的引线接合结构、半导体装置以及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施方式的Pd覆盖Cu接合线具有1.0～4.0质量％的Pd、及合计为50质量ppm以下的S族元素5.0～12.0质量ppm的S、5.0～20.0质量ppm的Se、或15.0～50质量ppm的Te。该引线截面的晶体面中的100取向比率为15％以上，并且111取向比率为50％以下。在该引线上形成无空气球而对前端部分进行分析时，在其表面观测到Pd富集区域。

本发明授权钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、及使用了其的引线接合结构、半导体装置以及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种钯覆盖铜接合线，其是具有以铜作为主要成分的芯材和所述芯材上的钯层并且含有硫族元素的钯覆盖铜接合线，所述钯覆盖铜接合线相对于铜、钯及硫族元素的合计，包含：1.0质量％～4.0质量％的钯、及合计为50质量ppm以下的硫族元素，并且包含：5.0质量ppm～12.0质量ppm的硫、5.0质量ppm～20.0质量ppm的硒、或15.0质量ppm～50.0质量ppm的碲，在所述钯覆盖铜接合线的截面的晶体面中的引线长度方向的晶体取向hkl之中，100取向比率的总计为15％以上，并且111取向比率为50％以下，所述100及111取向包含相对于所述引线长度方向角度差为15°以内的取向，在所述钯覆盖铜接合线上形成无空气球时，在所述无空气球的距离前端部分的表面为5.0nm～100.0nm的深度方向的范围内，观测到相对于铜与钯的合计包含6.5原子％～30.0原子％钯的钯富集区域。

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