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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利电阻型存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110858498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910460010.6，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权电阻型存储器器件是由尹镇灿设计研发完成，并于2019-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本电阻型存储器器件在说明书摘要公布了：提供了一种电阻型存储器器件，包括：在第一方向上延伸的第一导线；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二导线；以及连接第一导线和第二导线的存储器单元，其中，存储器单元包括：第一存储器单元，包括第一电阻型存储层和第一加热电极层，第一加热电极层包括与第一电阻型存储器层接触的第一接触表面，并且第一接触表面具有第一接触电阻；以及第二存储器单元，包括第二电阻型存储器层和第二加热电极层，第二加热电极层包括与第二电阻型存储器层接触的第二接触表面，并且第二接触表面具有与第一接触不同的第二接触电阻。

本发明授权电阻型存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种电阻型存储器器件，包括：多个第一导线，在第一方向上延伸；多个第二导线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个存储器单元，连接到所述多个第一导线和所述多个第二导线，其中，所述多个存储器单元包括：第一存储器单元，包括第一电阻型存储器层和第一加热电极层，所述第一加热电极层包括与所述第一电阻型存储器层接触的第一接触表面，并且所述第一接触表面具有第一接触电阻；以及第二存储器单元，包括第二电阻型存储器层和第二加热电极层，所述第二加热电极层包括与所述第二电阻型存储器层接触的第二接触表面，并且所述第二接触表面具有与所述第一接触电阻不同的第二接触电阻，并且所述第二加热电极层的厚度小于所述第一加热电极层的厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。