恭喜深南电路股份有限公司黄立湘获国家专利权
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龙图腾网恭喜深南电路股份有限公司申请的专利埋入式芯片及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111354688B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811571277.4,技术领域涉及:H01L23/31;该发明授权埋入式芯片及其制造方法是由黄立湘;缪桦设计研发完成,并于2018-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本埋入式芯片及其制造方法在说明书摘要公布了:本申请提供一种埋入式芯片及其制造方法。制造方法包括:提供一导电基底;在导电基底上设置裸芯和导电凸台,裸芯的底面上设置连接端子,连接端子与导电基底电连接;在裸芯和导电凸台上设置第一绝缘层;在第一绝缘层对应导电凸台的顶部设置导电盲孔,导电盲孔将导电凸台外露,在导电盲孔中设置与导电凸台电连接的扇出端子,导电凸台的底部通过导电基底与连接端子电连接,以使连接端子通过导电凸台和扇出端子扇出。由此,需要开设的导电盲孔的厚度不需要太厚,仅需要打通第一绝缘层到导电凸台之间的距离即可,简化工艺,避免较厚的封装体使得激光无法击穿的情况,也可避免机械打孔带来的大震动以及低精度的问题。
本发明授权埋入式芯片及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种埋入式芯片的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:提供一导电基底;在所述导电基底上设置一框架,其中,所述框架上设置有间隔的第一通槽和第二通槽;在所述导电基底上设置一裸芯和至少一个导电凸台,所述裸芯包括相对设置的顶面和底面,所述底面上设置连接端子,所述连接端子与所述导电基底电连接;在所述第一通槽中设置所述裸芯,在所述第二通槽中设置所述导电凸台,使得所述裸芯和所述导电凸台间隔设置;在所述裸芯和所述导电凸台上设置第一绝缘层;其中,所述第一绝缘层进一步覆盖所述框架的表面、填充所述裸芯与所述第一通槽之间的间隙以及所述导电凸台与所述第二通槽之间的间隙,对所述第一绝缘层进行固化,使得所述第一绝缘层和所述框架形成一体结构;所述框架的材质和所述第一绝缘层的材质相同;其中,所述框架的厚度大于或等于所述裸芯的厚度以及所述导电凸台的厚度;在所述第一绝缘层对应所述导电凸台的顶部设置导电盲孔,所述导电盲孔将所述导电凸台外露,进一步在导电盲孔中设置与所述导电凸台电连接的扇出端子,所述导电凸台的底部通过所述导电基底与所述连接端子电连接,以使所述连接端子通过导电凸台和所述扇出端子扇出。
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