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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利固态摄像装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111279482B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880069007.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权固态摄像装置和电子设备是由内田哲弥;铃木亮司;工藤義治;森裕之;田中晴美设计研发完成，并于2018-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本固态摄像装置和电子设备在说明书摘要公布了：本技术涉及能够防止暗特性劣化的固态摄像装置以及电子设备。根据本发明的固态摄像装置设置有：光电转换部，其执行光电转换；电荷保持部，其暂时保持由所述光电转换部转换的电荷；以及第一沟槽，其形成在半导体基板中并且位于所述光电转换部与所述电荷保持部之间。在所述半导体基板的深度方向上，所述第一沟槽被形成得比所述光电转换部更高。可替代地，在所述半导体基板的深度方向上，所述第一沟槽被形成得比所述光电转换部更低而比所述电荷保持部更高。本技术例如能够应用于背照式CMOS图像传感器。

本发明授权固态摄像装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种固态摄像装置，包括：光电转换部，其进行光电转换；电荷保持部，其暂时地保持被所述光电转换部转换的电荷；两个第一沟槽，所述两个第一沟槽在半导体基板中形成在所述光电转换部与所述电荷保持部之间；读取栅极，其从所述光电转换部读取电荷；以及传输栅极，其将由所述读取栅极读取的所述电荷传输到所述电荷保持部，并且被形成为延伸跨越所述两个第一沟槽中与所述电荷保持部相邻的所述第一沟槽，在剖视图中，在所述半导体基板的深度方向上，所述两个第一沟槽被形成为高于所述光电转换部。

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