恭喜江苏能华微电子科技发展有限公司武乐可获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏能华微电子科技发展有限公司申请的专利一种高阈值稳定性GaN功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411929987.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高阈值稳定性GaN功率器件及其制备方法是由武乐可;李亦衡;朱廷刚设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高阈值稳定性GaN功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于GaN功率器件技术领域，具体涉及一种高阈值稳定性GaN功率器件及其制备方法。本发明提供的高阈值稳定性GaN功率器件，包括设置在所述GaN缓冲层部分上表面的空穴阻挡层；所述源极场板的初始端位于所述源极上表面，所述源极场板的末端的边缘在所述缓冲层上表面的投影位置位于所述空穴阻挡层在所述GaN缓冲层上表面的投影面积之内；所述空穴阻挡层的材料为N型GaN。本发明提供的GaN功率器件在所述GaN缓冲层的上表面特定区域位置增加了一层N型GaN材料的空穴阻挡层，能够有效起到空穴阻挡的作用，阻止碰撞电离产生的空穴向栅极移动，从而实现了高的阈值稳定性，具有较好的应用前景。
本发明授权一种高阈值稳定性GaN功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高阈值稳定性GaN功率器件，其特征在于，包括衬底层；设置在所述衬底层上表面的GaN缓冲层；设置在所述GaN缓冲层部分上表面的空穴阻挡层；设置在所述GaN缓冲层剩余上表面和所述空穴阻挡层上表面的GaN沟道层；设置在所述GaN沟道层上表面的AlGaN势垒层；设置在所述AlGaN势垒层部分上表面的栅极；与所述GaN沟道层和所述AlGaN势垒层欧姆接触的源极；与所述GaN沟道层和所述AlGaN势垒层欧姆接触的漏极；与所述源极上表面固定连接的源极场板，所述源极场板的初始端位于所述源极上表面，所述源极场板的末端的边缘在所述缓冲层上表面的投影位置位于所述空穴阻挡层在所述GaN缓冲层上表面的投影面积的区域之内；所述空穴阻挡层的材料为N型GaN。
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