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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司信息科学研究院;哈尔滨工业大学;中国电子科技集团公司第三十三研究所申请的专利含能自毁芯片的制备方法、含能自毁芯片及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581419B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411856412.5，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权含能自毁芯片的制备方法、含能自毁芯片及应用是由彭志龙;严英占;徐迁;高源;贾璐;汪志强;许静;杨丽君;王铮;曹伽牧设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本含能自毁芯片的制备方法、含能自毁芯片及应用在说明书摘要公布了：本申请涉及技术领域，具体而言，涉及一种含能自毁芯片的制备方法、含能自毁芯片及应用。所述含能自毁芯片的制备方法，包括：提供基座和芯片本体，所述基座具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成沉槽；在所述沉槽内形成第一含能材料层；在所述第二表面形成半导体桥，所述半导体桥的加热部分与所述第一沉孔位置相对，所述半导体桥用于通电释放热量以引爆所述第一含能材料层；将所述第一表面与所述芯片本体贴合固定。根据上述方案制备的含能自毁芯片，可以改善现有含能自毁器件板级集成设计困难、激发引爆响应时间长和能耗高的问题。

本发明授权含能自毁芯片的制备方法、含能自毁芯片及应用在权利要求书中公布了：1.一种含能自毁芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供基座和芯片本体，所述基座具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成沉槽以及在所述沉槽的底面形成第一沉孔；在所述沉槽及所述第一沉孔内形成第一含能材料层；在所述第二表面形成半导体桥，所述半导体桥用于通电释放热量以引爆所述第一含能材料层；将所述第一表面与所述芯片本体贴合固定；所述在所述第二表面形成半导体桥，包括：将所述半导体桥的加热部分形成在所述第二表面，所述半导体桥的加热部分与所述第一沉孔位置相对；所述将所述半导体桥的加热部分形成在所述第二表面，包括：在所述第二表面形成导电层；在所述导电层表面形成加热电极，所述加热电极与所述第一沉孔位置相对，且所述加热电极的电阻大于所述导电层的电阻；所述在所述第二表面形成半导体桥之前，所述方法还包括：在所述第二表面刻蚀形成第二沉孔，所述第二沉孔和所述第一沉孔位置相对，所述第二沉孔用于形成所述半导体桥的加热部分。

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