恭喜北京怀柔实验室胡佳娜获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利半导电屏蔽材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119060450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411578276.8，技术领域涉及：C08L23/0869；该发明授权半导电屏蔽材料及其制备方法和应用是由胡佳娜;陈赟;杨威;陈维江;乔健;涂必冬;杨入云;王嘉尧;李圣驿设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导电屏蔽材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导电屏蔽材料及其制备方法和应用，半导电屏蔽材料的制备原料包括导电填料和聚合物组合物，所述导电填料包括导电炭黑和高导电MXene；所述高导电MXene包括表面形成有金属氧化物层的二维层状MXene；所述高导电MXene的X占据相邻M层的八面体位点。通过高导电MXene与导电炭黑、与基体树脂、分散剂、抗氧剂、润滑剂及交联剂这些组分之间的配合与协同作用，使得屏蔽材料获得了优异的导电性能和力学性能，而且获得的屏蔽材料表面光洁度高，解决了因屏蔽材料表面微小杂质或缺陷引起局部放电带来的安全隐患问题，满足超高压电缆领域电缆用材需求。
本发明授权半导电屏蔽材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种半导电屏蔽材料，其特征在于，其制备原料包括导电填料和聚合物组合物，所述导电填料包括导电炭黑和高导电MXene；所述高导电MXene包括表面形成有金属氧化物层的二维层状MXene；所述高导电MXene的X占据相邻M层的八面体位点；所述金属氧化物层的厚度为5nm~100nm；所述金属氧化物层为MXene中含有的早期过渡金属元素表面氧化形成的过渡金属氧化物层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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