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龙图腾网恭喜长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利双栅半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410965820.8，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权双栅半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆是由彭安贤设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本双栅半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双栅半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，双栅半导体器件包括：衬底；半导体外延层，位于衬底的一侧；第一栅极沟槽和第一栅极结构；第一栅极沟槽位于半导体外延层远离衬底一侧的表面，第一栅极结构位于第一栅极沟槽中；第二栅极沟槽和第二栅极结构；第二栅极沟槽位于第一栅极沟槽靠近衬底的一侧，第二栅极结构位于第二栅极沟槽中；第一电极，位于衬底远离半导体外延层的一侧；第二电极，位于半导体外延层远离衬底一侧的表面；其中，第一栅极结构和第二栅极结构同步输入栅极电压。本发明实施例提供的技术方案，降低了导通电阻的同时，提高了器件的击穿电压。

本发明授权双栅半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种双栅半导体器件，其特征在于，包括：衬底；半导体外延层，位于所述衬底的一侧；第一栅极沟槽和第一栅极结构；所述第一栅极沟槽位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的表面，所述第一栅极结构位于所述第一栅极沟槽中；第二栅极沟槽和第二栅极结构；所述第二栅极沟槽位于所述第一栅极沟槽靠近所述衬底的一侧，所述第二栅极结构位于所述第二栅极沟槽中；第一电极，位于所述衬底远离所述半导体外延层的一侧；第二电极，位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的表面；其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构同步输入栅极电压；所述半导体外延层包括依次远离所述衬底的漂移区、体区以及与所述第二电极接触的接触区；所述第二栅极结构由所述体区沿着垂直于所述衬底的方向延伸至所述漂移区中；所述第一栅极结构由所述接触区远离所述衬底一侧的表面，沿着垂直于所述衬底的方向延伸至所述体区中。

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