北京芯力技术创新中心有限公司章莱获国家专利权
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龙图腾网获悉北京芯力技术创新中心有限公司申请的专利晶圆混合键合纳米线形成方法及半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118737860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410880552.X,技术领域涉及:H01L21/60;该发明授权晶圆混合键合纳米线形成方法及半导体器件是由章莱;黄达利;韩子同设计研发完成,并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆混合键合纳米线形成方法及半导体器件在说明书摘要公布了:本发明属于半导体器件制造领域,尤其涉及一种晶圆混合键合纳米线形成方法及半导体器件。所述晶圆混合键合纳米线形成方法包括以下步骤:步骤S1,蚀刻工序:利用大马士革工艺在晶圆的衬底上蚀刻形成混合键和焊盘,利用CuCMP工艺去除所述混合键和焊盘最外层的表面部分上的Cu,从而在所述混合键合焊盘上从最外层部分开始往内生成碟形凹陷形貌;步骤S2,多孔薄膜贴合工序:以能够保证在指定位置上,按照从下到上的指向性向上生长铜纳米线的方式,在所述晶圆的表面覆盖并贴合多孔薄膜;步骤S3,纳米线生长工序:通过电化学沉积工艺沿所述多孔薄膜的多个孔内生成多个铜纳米线。本发明通过利用上述工艺方法,显著增大混合键合金属之间的接触面积,从而增加了金属与金属键合的结合力,最终显著增加了半导体器件的键合强度。
本发明授权晶圆混合键合纳米线形成方法及半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种晶圆混合键合纳米线形成方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,蚀刻工序:利用大马士革工艺在晶圆的衬底上蚀刻形成混合键和焊盘,利用CuCMP工艺去除所述混合键和焊盘最外层的表面部分上的Cu,从而在所述混合键合焊盘上从最外层部分开始往内生成碟形凹陷形貌;步骤S2,多孔薄膜贴合工序:以能够保证在指定位置上,按照从下到上的指向性向上生长铜纳米线的方式,在所述晶圆的表面覆盖并贴合多孔薄膜;步骤S3,纳米线生长工序:通过电化学沉积工艺沿所述多孔薄膜的多个孔内生成多个铜纳米线,其中,在所述步骤S1中,所述碟形凹陷形貌为碗碟形状,控制其最终退火之前键合界面的空隙,保证最终的空隙能够被退火之后的膨胀所填满,所述碟形凹陷形貌的凹陷深度为50-300A,纳米线具有最大的凸起不超过150A;步骤S4,在所述铜纳米线的最外层上包覆生成Ag层,用于后续的混合键合晶圆堆叠工艺,其中,所述Ag层的厚度为10A-100A。
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