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龙图腾网恭喜深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利单片集成电路及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117142426B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311138953.X，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权单片集成电路及其制造方法是由樊永辉;张汪根;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2023-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本单片集成电路及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种单片集成电路及其制造方法。单片集成电路的制造方法包括，提供衬底；在所述衬底上形成谐振器；在所述衬底上形成电容；和或在所述衬底上形成电感；在所述衬底上制造金属互连线，以将所述电容和或所述电感与所述谐振器连接。本申请将谐振器与LC电路集成制作在同一芯片上，形成MEMS单片集成电路，形成多功能的集成器件，提升性能和集成度。

本发明授权单片集成电路及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种单片集成电路的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供衬底；S2：在所述衬底上形成谐振器；S3：在所述衬底上形成电容；和或在所述衬底上形成电感；S4：在所述衬底上制造金属互连线，以将所述电容和或所述电感与所述谐振器连接；所述步骤S2包括：在所述衬底的一侧形成压电薄膜；在所述压电薄膜远离所述衬底的一侧形成第二电极；在所述衬底背离所述压电薄膜的一侧进行刻蚀形成空腔，所述空腔在第一方向上的投影落入所述压电薄膜在第一方向上的投影内，所述空腔连通所述压电薄膜与所述衬底背离所述压电薄膜的一侧；在所述空腔内形成第一电极，所述第一电极位于所述压电薄膜远离所述第二电极的一侧且与所述压电薄膜贴合；在所述空腔内形成金属层，所述金属层实现所述第一电极与所述衬底背离所述压电薄膜的一侧的电连接；所述步骤S4还包括：通过光刻工艺在所述衬底远离所述谐振器的一面定位若干背孔的位置与定义所述背孔的开口大小，所述背孔在第一方向上的投影与所述谐振器或所述电容或所述电感的金属电极有重叠区域；对定位出的若干所述背孔的位置进行深硅刻蚀以形成所述背孔，所述背孔连通所述谐振器或所述电容或所述电感的金属电极与所述衬底远离所述谐振器的一面；在所述衬底远离所述谐振器的一面以及所述背孔内形成背面金属结构，所述背面金属结构与所述谐振器和或所述电容和或所述电感的金属电极连接。

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