恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111211091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811391794.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供基底，在所述基底中形成沟槽；将第一电介质填充部分所述沟槽；对所述第一电介质的进行离子注入处理，所述离子注入处理的温度是50‑300℃；重复填充所述第一电介质并对其进行离子注入处理步骤至所述沟槽的一定深度；将第二电介质填充满所述沟槽；以及热处理填充在所述沟槽的电介质使其固化；其中，在填充所述第二电介质之前所述沟槽未被填充满。本发明的半导体器件的制备方法，重复可流动电介质部分填充沟槽、随后离子注入处理可流动电介质步骤，可以分步释放固化时产生的应力，从而不会在最后的热处理步骤中导致应力过于集中，进而避免有源区域倒塌的发生。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底中形成沟槽；将第一电介质填充部分所述沟槽；对所述第一电介质的进行离子注入处理，所述离子注入处理的温度是50-300℃，所述离子注入处理将第一电介质部分固化；所述第一电介质进行离子注入处理后的高度为以所述沟槽底部为基准、所述沟槽深度的17至13处；重复填充所述第一电介质并对其进行离子注入处理步骤至所述沟槽的一定深度；将第二电介质填充满所述沟槽；以及热处理填充在所述沟槽的电介质使其固化；其中，在填充所述第二电介质之前所述沟槽未被填充满。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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