恭喜株式会社国际电气小川有人获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111052312B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880050799.1，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序是由小川有人设计研发完成，并于2018-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序在说明书摘要公布了：本发明进行下述工序：工序a，通过将含有第一金属的气体和第一还原气体以彼此不混合的方式对表面上具有凹部的衬底进行多次供给，从而形成第一金属膜；工序b，通过至少将含有第二金属的气体、和与第一还原气体不同的第二还原气体以彼此不混合的方式对衬底进行多次供给，从而在第一金属膜上形成第二金属膜；及工序c，通过对衬底供给蚀刻气体，从而至少将第二金属膜蚀刻。
本发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序在权利要求书中公布了：1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：工序a，通过将含有第一金属的气体和第一还原气体以彼此不混合的方式对表面上具有凹部的衬底进行多次供给，从而以将所述凹部内填埋的方式形成第一金属膜，其中，所述第一还原气体为由氢元素的单质或氘的单质构成的气体；工序b，通过至少将含有第二金属的气体、和与第一还原气体不同的第二还原气体以彼此不混合的方式对所述衬底进行多次供给，从而在第一金属膜上形成第二金属膜；工序c，通过对所述衬底供给蚀刻气体，从而将所述第二金属膜蚀刻并将所述第一金属膜的上部蚀刻，所述制造方法中，依次进行工序a及工序b，工序c在工序a及工序b后进行，在工序a中，使进行工序c前的所述第一金属膜的厚度为进行工序c之后残留的所述第一金属膜的厚度的1.1倍以上且1.2倍以下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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