恭喜应用材料公司V·巴巴扬获国家专利权
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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利用于光刻胶晶片的曝光后处理的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113835299B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111180980.4，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权用于光刻胶晶片的曝光后处理的方法和装置是由V·巴巴扬;D·A·小布齐伯格;梁奇伟;L·戈代;S·D·耐马尼;D·J·伍德洛夫;R·哈里斯;R·B·摩尔设计研发完成，并于2016-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于光刻胶晶片的曝光后处理的方法和装置在说明书摘要公布了：本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体，所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内，并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相对，并且第二电极可耦接到所述可移动杆。在某些实施方式中，流体容纳环可耦接到所述基座，并且电介质容纳环可耦接到所述第二电极。
本发明授权用于光刻胶晶片的曝光后处理的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，包括：将基板定位在处理容积内的第一电极上；将第二电极移动到与所述基板相邻的处理位置，其中电介质容纳环耦接到所述第二电极；通过所述电介质容纳环将处理流体引入到所述处理容积；在所述第一电极与所述第二电极之间生成电场，并且经由所述处理流体将所述电场施加到所述基板；将所述处理流体从所述处理容积移除；将冲洗流体引入到所述处理容积；旋转所述基板以将所述冲洗流体从所述基板移除；以及将所述冲洗流体从所述处理容积移除。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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