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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118039568B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410034012.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件是由吴恒;葛延栋;卢浩然;孙嘉诚;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一衬底，并刻蚀衬底形成有源结构；有源结构包括第一端和第二端，有源结构的第一端相比于有源结构的第二端远离衬底；在衬底的第一区域上形成第一材料层；在第一材料层上，形成横跨有源结构的第一伪栅结构；对半导体结构进行倒片，并去除衬底，以暴露有源结构的第二端和第一材料层；使用第一材料层作为刻蚀掩膜，对半导体结构进行刻蚀，直至达到预设高度；在半导体结构上沉积半导体材料，形成第二伪栅结构；刻蚀第二伪栅结构，直至暴露源漏区域的有源结构，以形成第三伪栅结构；去除第一伪栅结构和第三伪栅结构，分别形成第一栅极结构和第二栅极结构。

本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括沿厚度方向的第一部分和第二部分，对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底的第一部分形成第二凹槽和被所述第二凹槽间隔开来的有源结构；所述有源结构包括鳍状结构、叠层纳米片结构或块状结构；栅极区域横跨所述有源结构，源漏区域横跨所述有源结构，所述栅极区域和所述源漏区域不同；所述有源结构包括第一端和第二端，所述有源结构的第一端相比于所述有源结构的第二端远离所述衬底的第二部分；在所述衬底的第一区域上形成第一材料层，所述第一区域位于所述有源结构两侧的栅极区域；在所述第一材料层上，形成横跨所述有源结构的第一伪栅结构；倒片，并去除所述衬底的第二部分，以暴露所述有源结构的第二端和所述第一材料层；使用所述第一材料层作为刻蚀掩膜，有选择性地对所述有源结构的第二端进行刻蚀，直至达到预设高度；沉积半导体材料，形成第二伪栅结构；所述第二伪栅结构在栅极区域内的高度高于所述第二伪栅结构在源漏区域内的高度；刻蚀所述第二伪栅结构，直至暴露源漏区域的有源结构，其中，刻蚀后的所述第二伪栅结构在所述栅极区域内形成第三伪栅结构；去除所述第一伪栅结构和所述第三伪栅结构，以暴露所述有源结构；所述有源结构包括第一部分和第二部分，所述第一端位于所述有源结构的第一部分，所述第二端位于所述有源结构的第二部分；在被去除的所述第一伪栅结构处沉积第一金属材料，以形成第一栅极结构；所述第一栅极结构包裹所述有源结构的第一部分；在所述第一栅极结构之上沉积第二金属材料，直至覆盖被去除的所述第三伪栅结构处，以形成第二栅极结构；所述第二栅极结构包裹所述有源结构的第二部分。

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