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龙图腾网恭喜武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117457672B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310862762.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示面板及显示装置是由陈涛设计研发完成，并于2023-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括衬底、薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括第一薄膜晶体管、第一导体层及扇出线，扇出线的第一扇出子段与第一薄膜晶体管的第一栅极在衬底上的正投影具有第一重叠部分，第一导体层在衬底上的正投影与第一重叠部分至少部分重叠，第一遮蔽部靠近第一栅的一侧与第一栅极之间的间距，大于第一遮蔽部靠近第一扇出子段的一侧与第一扇出子段之间的间距，本发明通过第一遮蔽部的设置，改善了第一栅极与第一扇出子段之间的寄生电容，同时，将第一遮蔽部靠近第一栅极的一侧与第一栅极的间距设置较大，避免了第一遮蔽部与第一栅极之间的寄生电容干扰第一栅极接收的信号，提升了显示面板的显示质量。

本发明授权显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区，所述显示面板包括：衬底；薄膜晶体管层，位于所述衬底的一侧，包括位于所述显示区内的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管及位于所述显示区内的扇出线，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管连接；第一薄膜晶体管包括第一栅极以及第一源漏极层，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极；所述扇出线包括第一扇出子段，所述第一扇出子段位于所述第一栅极远离所述衬底的一侧，并与所述第一源漏极层同层设置，所述第一扇出子段在所述衬底上的正投影与所述第一栅极在所述衬底上的正投影具有第一重叠部分；所述薄膜晶体管层还包括第一导体层，所述第一导体层位于所述第一栅极与所述第一扇出子段之间，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一导体层的第一遮蔽部，所述第一遮蔽部在所述衬底上的正投影至少部分与所述第一重叠部分重叠，所述第二栅极与所述第一遮蔽部同层设置；其中，所述第一遮蔽部靠近所述第一栅极的一侧与所述第一栅极靠近所述第一遮蔽部的一侧之间的间距，大于所述第一遮蔽部靠近所述第一扇出子段的一侧与所述第一扇出子段靠近所述第一遮蔽部的一侧之间的间距。

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