恭喜武汉华星光电半导体显示技术有限公司邓红照获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利防氧化剂、背光模组及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117467318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310804709.6，技术领域涉及：C09D133/00；该发明授权防氧化剂、背光模组及其制作方法是由邓红照设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本防氧化剂、背光模组及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种防氧化剂、背光模组及其制作方法。防氧化剂包括成膜组分以及挥发抑制添加剂，其中，成膜组分包括取代或未取代的丙烯酸树脂、异丙醇胺、以及咪唑啉中的至少一者，挥发抑制添加剂的沸点大于所述成膜组分的沸点。本发明可以减缓挥发型防氧化剂的挥发速率；进而在应用过程中，可以将该防氧化剂涂覆于背光模组的端子上，并可以在制程中逐渐挥发，即减少端子的氧化，又可以避免该防氧化剂影响端子的绑定连接。
本发明授权防氧化剂、背光模组及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种背光模组的制作方法，其特征在于，所述背光模组的制作方法包括以下步骤：在基板上形成第一端子和第二端子；将防氧化剂涂覆于所述第一端子和所述第二端子上，以在所述第一端子上形成第一保护膜、以及在所述第二端子上形成第二保护膜；所述防氧化剂由成膜组分、挥发抑制添加剂和乙醇溶剂组成，所述成膜组分为甲基丙烯酸树脂，所述挥发抑制添加剂为乙酸铅、液态石蜡和氯化钙，所述成膜组分在所述防氧化剂中的质量含量为40％～50％，所述挥发抑制添加剂在所述防氧化剂中的质量含量为11％～19％；将发光件焊接于所述第一端子上，并去除所述第一保护膜和所述第二保护膜，且所述发光件与所述第一端子电性连接，其中，所述第二保护膜去除的速率小于所述第一保护膜去除的速率，所述第二保护膜中的所述挥发抑制添加剂的沸点大于或等于第一温度，所述第一温度为所述发光件的焊接温度；将驱动组件连接于所述第二端子。
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