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龙图腾网恭喜扬州大学申请的专利一种双三相永磁电机低噪声无位置传感器控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116317726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310177669.7，技术领域涉及：H02P6/18；该发明授权一种双三相永磁电机低噪声无位置传感器控制方法是由邱先群;张继勇;尹振东;王凯设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双三相永磁电机低噪声无位置传感器控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双三相永磁电机低噪声无位置传感器控制方法。该方法采用半周期随机频率方波信号替代传统的固定频率方波信号来消除注入信号频率处的功率谱尖峰；然后利用随机绕组选择的方式将半周期随机频率方波信号断续注入到两套绕组中。在保证注入信号幅值不变的情况下，进一步降低了高频响应电流的含量。通过变换矩阵将两套绕组的高频响应映射到同一坐标系完成了位置信息的解调。该方法不仅能实现低速下双三相永磁电机的位置估计，同时削弱了由于注入高频信号导致的噪音问题，解决了双三相永磁电机高频信号注入法无位置传感器控制在低噪声场合应用受限的问题。

本发明授权一种双三相永磁电机低噪声无位置传感器控制方法在权利要求书中公布了：1.一种双三相永磁电机低噪声无位置传感器控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，合成半周期随机频率方波信号：选择两个不同幅值不同频率的方波信号，利用一个随机数在每半个周期进行选择并组成半周期随机方波信号；步骤2，构成不连续信号注入到绕组中：利用双三相永磁电机两套独立绕组的特点，将一个连续的半周期随机方波信号随机选择分别注入到两套绕组中，具体的，在每半周期内选择绕组进行注入，利用数字系统生成一个随机数Q，定义两个概率值k2和k3来控制注入绕组的选择，且0k2k31，当Qk2时，将半周期的信号同时注入到ABC绕组和DEF绕组中；当k2Qk3时，只将半周期的方波信号注入到绕组1中；当k3Q1时，只将半周期的方波信号注入到绕组2中；半个周期结束后，系统将重新生成随机数，并循环执行；步骤3，估计电机位置角和转速，实现无位置传感器控制：利用电机的数学模型推导高频信号注入下的纯电感模型，建立位置估计坐标系；通过变换矩阵将两套绕组中的响应电流映射到同一坐标系；建立解调坐标系，解调输出包含位置信息的高频响应电流，再利用观测器估计位置角和转速，将位置角和转速信息反馈到双三相永磁电机双dq控制系统中完成无位置传感器控制。

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