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龙图腾网恭喜锐立平芯微电子(广州)有限责任公司申请的专利一种MIMCAP电容加工工艺优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565996B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211360679.6，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权一种MIMCAP电容加工工艺优化方法是由李其鲁;叶甜春;陈少民;李彬鸿;苏炳熏设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MIMCAP电容加工工艺优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MIMCAP电容加工工艺优化方法，其可防止下层TiN薄膜损坏，可避免底层金属层损耗，MIMCAP电容分布于芯片，芯片包括衬底、金属层、前置层、MIMCAP电容，MIMCAP电容包括下极板、层间介质层、上极板，上极板包括第一铝层、下层TiN薄膜、上层TiN薄膜，下层TiN薄膜、上层TiN薄膜分别位于第一铝层下表面、上表面，工艺优化方法包括：在前置层的上方依次制备下极板、层间介质层、上极板，制备上极板的方式包括：在层间介质层的上表面依次生长下层TiN薄膜、第一铝层、上层TiN薄膜，其中，第一铝层的生长温度为270℃，下层TiN薄膜的生长温度为270℃，且最终获得的下层TiN薄膜的厚度大于等于

本发明授权一种MIMCAP电容加工工艺优化方法在权利要求书中公布了：1.一种MIMCAP电容加工工艺优化方法，MIMCAP电容集成于芯片后段制造工艺的金属互联层上，含有MIMCAP电容的后段金属互联层包括衬底，所述衬底上分布有低介电常数介质层、间隔设置于低介电常数介质层中的若干金属层、位于低介电常数介质层与金属层上方的前置层、位于前置层上方的所述MIMCAP电容，所述MIMCAP电容包括自下而上依次分布的下极板、层间介质层、上极板，所述上极板包括第一铝层、下层TiN薄膜、上层TiN薄膜，所述下层TiN薄膜、上层TiN薄膜分别布置于第一铝层的下表面、上表面，该工艺优化方法包括：在所述前置层的上方依次制备下极板、层间介质层、上极板，制备所述上极板的方式包括：在所述层间介质层的上表面依次生长下层TiN薄膜、第一铝层、上层TiN薄膜，其中，所述第一铝层的生长温度为270℃，所述下层TiN薄膜的生长温度与所述第一铝层的生长温度匹配；所述下层TiN薄膜的生长温度为270℃，且最终获得的所述下层TiN薄膜的厚度大于等于或所述下层TiN薄膜的生长温度为50℃，且最终获得的所述下层TiN薄膜的厚度大于等于或所述下层TiN薄膜的生长温度为270℃，且最终获得的所述下层TiN薄膜的厚度小于

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