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龙图腾网恭喜新奥科技发展有限公司申请的专利一种托卡马克核聚变装置中硼膜的去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011330862.2，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种托卡马克核聚变装置中硼膜的去除方法是由田小让;赵鑫;吴超;张国松;孟垂舟设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种托卡马克核聚变装置中硼膜的去除方法在说明书摘要公布了：本发明涉及可控核聚变技术领域，具体公开了一种托卡马克核聚变装置中硼膜的去除方法。所述去除方法包括：在托卡马克装置的腔室内，利用含氟气体化合物在辉光放电条件下产生氟等离子体，进而利用氟离子与硼膜中的硼元素发生反应，对硼膜进行化学去除；以及在硼膜去除结束后，利用氢和氦的联合辉光清洗去除真空腔室内壁的氟离子残留。本发明所提供的方法可有效去除托卡马克核聚变装置中的硼膜，反应产物均可以气态形式排出腔室内部，无沉积残留，且不会对不锈钢内壁的基底材料造成损伤。

本发明授权一种托卡马克核聚变装置中硼膜的去除方法在权利要求书中公布了：1.一种托卡马克核聚变装置中硼膜的去除方法，其特征在于，所述去除方法包括如下步骤：1在托卡马克装置的腔室内，利用CF4或NF3在辉光放电条件下产生氟等离子体，进而利用氟离子与硼膜中的硼元素发生反应，对硼膜进行化学去除；2硼膜去除结束后，利用氢和氦的联合辉光清洗，先进行氢辉光清洗去除残留氟离子，再进行氦辉光清洗去除残留氢气；所述步骤1中利用CF4对硼膜进行化学去除时，在通入CF4的同时通入氧气作为辅助气体，CF4与氧气的比例为1:1，辉光放电条件为：CF4流量30-150sccmO2流量30-150sccm气压0.1-0.6Pa电流0.1-0.7A电压400-650V时间30-120min；所述步骤1中利用NF3对硼膜进行化学去除时，辉光放电条件为：NF3流量50-200sccm气压0.1-0.6Pa电流0.1-0.7A电压380-600V时间30-120min。

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