恭喜江苏第三代半导体研究院有限公司王国斌获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011171599.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用是由王国斌;王建峰;徐科设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用。所述提高外延生长氮化镓晶体质量的方法包括：在温度为1100～1200℃、压力为500～800torr，且交替输入纯氢气和纯氮气的条件下，对小于等于20nm厚度的氮化铝缓冲层进行长时间退火和刻蚀处理；之后，在氮化铝缓冲层上沉积氮化镓材料。采用本发明实施例提供的一种提高外延生长氮化镓晶体质量的方法，可以稳定的降低氮化镓薄膜的位错密度接近1个数量级，具有很好的实际应用价值。
本发明授权提高外延生长氮化镓晶体质量的方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种提高外延生长氮化镓晶体质量的方法，其特征在于包括：在外延反应设备内生长形成氮化铝缓冲层，之后停止输入氨气，并将反应腔内的温度升高至1100~1200℃，压力升高至500~800torr，且向反应腔内交替输入纯氢气和纯氮气，对氮化铝缓冲层进行长时间退火和刻蚀处理，以将所述氮化铝缓冲层加工形成岛状结构，每个循环过程中，所述纯氢气的单次通入时间为20-50秒，纯氮气的单次通入时间为10-25秒；之后，在温度为1000~1040℃、压力为400~600torr和低VIII比的条件下，在氮化铝缓冲层上进行氮化镓三维非稳态生长，以形成薄层氮化镓材料，其中，所述低VIII比为NGa=100~900。
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