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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路封装及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011109999.5，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权集成电路封装及其形成方法是由余振华;王垂堂;张丰愿;陈颉彦;张维麟设计研发完成，并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路封装及其形成方法在说明书摘要公布了：在一实施例中，一种集成电路封装包括：处理器晶粒，包括电路区块，电路区块包括具有第一技术节点的有源装置；电源闸控晶粒，包括具有第二技术节点的功率半导体装置，第二技术节点大于第一技术节点；以及第一重布线结构，包括第一金属化图案，第一金属化图案包括电力供应源线及电力供应接地线，其中电路区块的第一子集经由功率半导体装置电性耦合至电力供应源线及电力供应接地线，且电路区块的第二子集永久地电性耦合至电力供应源线及电力供应接地线。

本发明授权集成电路封装及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路封装，其特征在于包括：处理器晶粒，包括电路区块，所述电路区块包括有源装置；电源闸控晶粒，包括功率半导体装置，所述功率半导体装置的装置节距大于所述有源装置的装置节距；以及第一重布线结构，包括第一金属化图案，所述第一金属化图案包括电力供应源线及电力供应接地线，其中所述电路区块的第一子集经由所述功率半导体装置电性耦合至所述电力供应源线及所述电力供应接地线，且所述电路区块的第二子集永久地电性耦合至所述电力供应源线及所述电力供应接地线，其中所述处理器晶粒与所述电源闸控晶粒藉由介电质对介电质结合及藉由金属对金属结合直接结合，且所述集成电路封装还包括：导通孔，连接至所述处理器晶粒及所述第一重布线结构的所述第一金属化图案；介电层，环绕所述导通孔及所述电源闸控晶粒，所述介电层及所述电源闸控晶粒各自设置于所述第一重布线结构与所述处理器晶粒之间，所述介电层与所述处理器晶粒在侧向上毗连；以及包封体，环绕所述处理器晶粒及所述介电层，所述包封体与所述第一重布线结构在侧向上毗连。

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