恭喜朗姆研究公司戈鲁恩·布泰尔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利存储器应用的线挠曲控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113508465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980079225.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器应用的线挠曲控制是由戈鲁恩·布泰尔;施卢蒂·托姆贝尔;伊时塔克·卡里姆;帕特里克·范克利蒙布特设计研发完成，并于2019-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器应用的线挠曲控制在说明书摘要公布了：一种减少在存储器单元中的字线挠曲的方法包含：a提供衬底，所述衬底包括多个字线，所述多个字线被配置成彼此相邻并且在多个晶体管上方；b使用沉积工艺在所述多个字线上沉积膜层；c在沉积所述膜层之后，测量字线挠曲；d将所述字线挠曲与预定范围相比较；e基于所述字线挠曲，调整所述沉积工艺的成核延迟和晶粒尺寸中的至少一者；以及f使用一或更多衬底分别重复b到e一或更多次，直到所述字线挠曲在所述预定范围内。
本发明授权存储器应用的线挠曲控制在权利要求书中公布了：1.一种减少在存储器单元中的字线挠曲的方法，其包含：a提供衬底，所述衬底包括多个字线，所述多个字线被配置成彼此相邻并且在多个晶体管上方；b使用沉积工艺在所述多个字线上沉积膜层；c在沉积所述膜层之后，测量字线挠曲；d将所述字线挠曲与阈值容许度范围相比较；e基于所述字线挠曲，调整所述沉积工艺的成核延迟和晶粒尺寸中的至少一者；以及f使用一或更多衬底分别重复b到e一或更多次，直到所述字线挠曲在所述阈值容许度范围内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号