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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利一种混合器件型三电平ANPC逆变器的结温优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119382488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411989384.4，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权一种混合器件型三电平ANPC逆变器的结温优化方法是由刘平;焦萌萌;郭祺;龙柳;肖凡;涂春鸣设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种混合器件型三电平ANPC逆变器的结温优化方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种混合器件型三电平ANPC逆变器的结温优化方法，其特征在于，包括：获取所述第一内管或所述第二内管的当前结温值；判断所述当前结温值是否超过结温阈值；若是，则获取当前交流侧电流，并确定所述交流侧电流，所处已整定电流阈值区间的区间范围，其中，所述已整定电流阈值区间包括第一电流阈值和第二电流阈值或所述第一电流阈值，所述第一电流阈值小于所述第二电流阈值；基于所述已整定电流阈值区间，调整所述逆变器工作的控制模式；其中，所述控制模式包含对应的调制策略和开关模式。采用不同的控制模式调整逆变器的工作，进而使得逆变器的结温情况得到极大的改善。

本发明授权一种混合器件型三电平ANPC逆变器的结温优化方法在权利要求书中公布了：1.一种混合器件型三电平ANPC逆变器的结温优化方法，所述逆变器包括第一内管和第二内管、第一外管和第二外管、第一钳位管和第二钳位管，所述第一内管和所述第二内管由SiIGBT与SiCMOSFET并联构成，所述第一外管、所述第二外管、所述第一钳位管、第二钳位管均采用SiIGBT，其特征在于，包括：获取所述第一内管或所述第二内管的当前结温值；判断所述当前结温值是否超过结温阈值；若是，则获取当前交流侧电流，并确定所述交流侧电流所处已整定电流阈值区间的区间范围，其中，所述已整定电流阈值区间包括第一电流阈值和第二电流阈值或所述第一电流阈值，在所述已整定电流阈值区间包括第一电流阈值和第二电流阈值时，所述第一电流阈值小于所述第二电流阈值；基于所述已整定电流阈值区间的区间范围，调整所述逆变器工作的控制模式；其中，所述控制模式包含对应的调制策略和开关模式；其中，确定所述第一电流阈值和所述第二电流阈值或第一电流阈值的具体过程如下：步骤S301：获取所述第一电流阈值对应的第一电流调整阈值，获取所述第二电流阈值对应的第二电流调整阈值；步骤S302：判断所述第一内管内的SiCMOSFET与SiIGBT的温差的第一绝对值是否大于或等于所述第一内管SiCMOSFET与第一外管SiIGBT的温差的第二绝对值；步骤S303：若是，则判断所述第一内管内的SiCMOSFET结温是否大于或等于所述第一内管的SiIGBT结温；步骤S304：若是，则降低所述第一电流调整阈值，得到第一未整定电流阈值区间；获取当前时刻的交流侧电流，确定所述交流侧电流处于所述第一未整定电流阈值区间的区间范围；基于所述第一未整定电流阈值区间的区间范围，确定所述逆变器工作的控制模式；步骤S305：判断当前时刻下，是否满足结束循环条件，其中所述循环条件为所述第一内管的SiCMOSFET与所述第一内管的SiIGBT的温差为零的同时，所述第一内管SiCMOSFET与第一外管的SiIGBT的温差也为零；步骤S306：若是，则将降低后的第一电流调整阈值确定为第一电流阈值，将所述第二电流调整阈值确定为第二电流阈值，将所述第一未整定电流阈值区间确定为所述已整定电流阈值区间；若否，则执行步骤S301。

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