恭喜航天特种材料及工艺技术研究所董立超获国家专利权
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龙图腾网恭喜航天特种材料及工艺技术研究所申请的专利一种电磁均匀及阻抗匹配电磁损耗材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115087338B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210686186.5，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种电磁均匀及阻抗匹配电磁损耗材料及制备方法是由董立超;赵慈;兰天;刘鹏飞;李南设计研发完成，并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电磁均匀及阻抗匹配电磁损耗材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种电磁均匀及阻抗匹配电磁损耗材料及制备方法，属于树脂基电磁损耗复合材料领域，通过称量羰基铁粉、树脂和气相二氧化硅，并在室温下混炼均匀，得到电磁浆料；将所述电磁浆料进行二次混炼匀化，以及脱泡处理；将脱泡处理后的电磁浆料置于成型模具中固化成型，得到电磁均匀及阻抗匹配的电磁损耗材料。本发明获得的电磁损耗材料上下性能均匀，材料介电常数低，材料的吸波性能良好。
本发明授权一种电磁均匀及阻抗匹配电磁损耗材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电磁均匀及阻抗匹配电磁损耗材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：称量羰基铁粉、树脂和气相二氧化硅，并在室温下混炼均匀，得到电磁浆料；气相二氧化硅的添加比例为羰基铁粉与树脂总重量的0.3%-1%，羰基铁粉与树脂的质量比为85-91:9-15；气相二氧化硅的粒径为50-200nm，气相二氧化硅表面的硅羟基与羰基铁粉表面羟基形成氢键，形成介电匹配层；将所述电磁浆料进行二次混炼匀化，以及脱泡处理；将脱泡处理后的电磁浆料置于成型模具中固化成型，固化条件为先180℃2小时，然后200℃1小时，得到电磁均匀及阻抗匹配的电磁损耗材料。
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