恭喜天津大学范昊宸获国家专利权
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龙图腾网恭喜天津大学申请的专利毫米级晶粒钙钛矿薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010733861.6，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权毫米级晶粒钙钛矿薄膜制备方法是由范昊宸;周雪琴;蒋克健设计研发完成，并于2020-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本毫米级晶粒钙钛矿薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开毫米级晶粒钙钛矿薄膜制备方法，首先在多孔二氧化钛基底上使用一步法制备原始钙钛矿薄膜，再利用甲胺气体对原始钙钛矿薄膜进行处理，以得到毫米级晶粒钙钛矿薄膜。本发明的制备方法简单易行，制备的薄膜结晶性更好，取向更加集中，陷阱态密度更低，载流子寿命更长，器件的效率更高，环境稳定性更好。
本发明授权毫米级晶粒钙钛矿薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.毫米级晶粒钙钛矿薄膜，其特征在于，毫米级晶粒钙钛矿薄膜为MAPbI3薄膜，具有钙钛矿的四方相晶型，在[110]方向上完全择优取向，整个毫米级晶粒是一块完整的单晶；按照下述步骤进行：步骤1，以碘化铅和甲胺氢碘酸盐均匀分散在溶剂中以形成前驱体溶液，在多孔二氧化钛基底上进行旋涂并退火，以得到原始MAPbI3薄膜；步骤2，将上述制备的原始MAPbI3薄膜置于已经预热的反应釜中，向反应釜中填充甲胺气体，填充结束后静置，再打开阀门进行缓慢排气，控制排气时间为60±5s，最后进行快速排气并通入惰性保护气体对反应釜内进行清扫，以得到毫米级晶粒钙钛矿薄膜，其中：（1）反应釜预热温度为120摄氏度，填充甲胺气体的表压为0.16MPa，进行缓慢排气时，表压由0.16MPa降至0.06MPa；（2）反应釜预热温度为140摄氏度，填充甲胺气体的表压为0.2MPa，进行缓慢排气时，表压由0.2MPa降至0.14MPa；（3）反应釜预热温度为160摄氏度，填充甲胺气体的表压为0.32MPa，进行缓慢排气时，表压由0.32MPa降至0.26MPa。
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