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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112216332B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010429014.0，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法是由金经纶;吴伦娜;辛昊炫;李载镐设计研发完成，并于2020-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法在说明书摘要公布了：公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个段，设置在多个行块和多个列块的对应的交叉点处，每个行块包括结合到字线和位线的多个动态存储器单元；行解码器，响应于行地址，激活第一行块的第一字线；基于第一熔丝信息确定第一行块是否是主块以及确定第二行块是否被映射为主块的从属；激活第二行块的第二字线并输出行块信息信号；和列解码器，基于列地址、行块信息信号和第二熔丝信息访问结合到第一字线的多个第一存储器单元的部分或结合到第二字线的多个第二存储器单元的部分。

本发明授权半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括在第一方向上布置的多个行块，其中，所述多个行块中的每个行块包括结合到字线和位线的多个动态存储器单元，所述多个行块中的每个行块包括在与第一方向相交的第二方向上布置的多个段，不同行块中的段在第二方向上形成多个列块；行解码器，被配置为：接收行地址；响应于行地址，激活所述多个行块中的第一行块的第一字线，其中，第一行块使用行地址的至少一个块地址位来标识；基于第一熔丝信息确定第一行块是否是主块，第一熔丝信息指示第一行块是主块；响应于确定第一行块是主块，确定所述多个行块中的第二行块是否被映射为主块的从属；响应于确定所述多个行块中的第二行块被映射为主块的从属，激活所述多个行块中的第二行块的第二字线，以及响应于激活第二字线，输出行块信息信号，行块信息信号指示第二字线被激活；和列解码器，被配置为：接收列地址；以及基于列地址、行块信息信号和第二熔丝信息，访问所述多个动态存储器单元中的结合到第一行块的第一字线的多个第一存储器单元的部分和或所述多个动态存储器单元中的结合到第二行块的第二字线的多个第二存储器单元的部分，第二熔丝信息指示所述多个段中的设置在主块和与列地址相关联的第一列块的交叉点处的第一段。

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